微型PECVD系統采用Φ 3“ × 16“ 的石英腔體，內部設有加熱圈對樣品進(jìn)行加熱，Z高溫度可以達到400℃，且采用程序化控溫，系統還配有2通道混氣裝置和雙旋機械泵，整套系統安放于移動(dòng)架上，便于實(shí)驗操作。本系統系對于薄膜生長(cháng)和納米線(xiàn)的制作是Z佳的選擇。

快速升溫CVD系統RTP-1000-F3LV是專(zhuān)為半導體基片、太陽(yáng)能電池及其它樣品（尺寸可達 3″ ）的退火而設計，配有3路流量計和機械泵。本機采用 9KW的紅外燈進(jìn)行加熱，Z快升溫速度可達 100℃/s，配有RS485 接口，可以通過(guò)控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線(xiàn)。

開(kāi)啟式單溫區低真空CVD系統OTF-1200X-F3LV是由開(kāi)啟式單溫區管式爐、機械泵、三通道浮子混氣系統組成，可為CVD或擴散實(shí)驗提供1-3種的混合氣體，真空度可達10-2torr。

高真空CVD系統OTF-1200X-80-C2HV是由單溫區管式爐、兩路質(zhì)子混氣系統和高真空機組組成，Z高工作溫度可達1200℃，混氣系統可以對兩種氣體進(jìn)行精確的混氣，然后導入管式爐內部，本系統極限真空度可達10-5 torr。

1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統OTF-1200X-4-C4LV是專(zhuān)門(mén)為在金屬箔表面生長(cháng)薄膜而設計的，特別是應用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。

高真空快速CVD系統OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統和高真空機組組成，可進(jìn)行半導體基片、太陽(yáng)能電池及其它樣品（尺寸可達 3″ ）的退火，并采用 10KW的紅外燈進(jìn)行加熱，Z快升溫速度可達 120℃/s，配有RS485 接口，可以通過(guò)控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線(xiàn)。